顶层掺杂少层石墨烯中拉曼 G 带分裂的观测
介观与纳米尺度物理
2010-03-23 v1 材料科学
摘要
报道了作为顶层掺杂函数的 N 层石墨烯中拉曼散射的实验研究。在通过 CHF_3 等离子体处理实现的高掺杂水平下，我们观察到双层和 4 层石墨烯（N 为偶数）光谱中 带的分裂，而在单层和三层石墨烯（N 为奇数）中则未观察到分裂。不同的行为与不同的电子-声子相互作用有关，这些相互作用在不同 N 层石墨烯中受对称性破缺和费米能级位置的不同影响。在三层石墨烯中，电子-声子耦合随费米能量的变化而减弱，导致所有区域中心面内光学声子模式硬化，类似于单层石墨烯。另一方面，在 4 层石墨烯中，G 带随掺杂的变化观察到两种不同的趋势，表明存在两组不同的电子-声子相互作用，类似于双层石墨烯。
引用
@article{arxiv.1002.4942,
title = {Observation of Raman G-band splitting in top-doped few-layer graphene},
author = {M. Bruna and S. Borini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.4942},
year = {2010}
}
备注
7 pages, 6 figures, to be published in PRB