具有栅极可调掺杂的无序石墨烯中的拉曼光谱与电子 - 声子耦合
材料科学
2015-06-22 v1
摘要
我们报告了一项关于石墨烯场效应晶体管(GFET)的拉曼光谱研究,其中通过电子束辐照在石墨烯中引入了受控数量的缺陷。我们在 K 下,针对不同的辐照剂量(Re),在一系列背栅电压(Vg)下采集拉曼光谱。我们研究了由 Vg 诱导的掺杂和在不同 Re 下人为制造的无序对拉曼光谱的影响。在中等无序(辐照)情况下,相对于石墨烯载流子密度(nFE),拉曼 G 峰在电荷中性点(CNP)附近表现出峰频率的最小值和峰宽的最大值。这些趋势与先前关于本征石墨烯的研究中观察到的趋势相似,并归因于随着费米能级远离 CNP,电子 - 声子耦合强度(D)的降低和 Kohn 反常的消除。我们还观察到 I2D/IG 在 CNP 附近出现最大值,ID/IG 出现弱最大值。所有观测到的拉曼参数对 nFE 的依赖性在更强无序(更高 Re)下减弱,表明无序也会导致 D 的降低。我们的发现对于理解掺杂和无序石墨烯中的拉曼光谱和电子 - 声子物理具有重要价值。
引用
@article{arxiv.1409.2862,
title = {Raman spectra and electron-phonon coupling in disordered graphene with gate-tunable doping},
author = {Isaac Childres and Luis A. Jauregui and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.2862},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures