利用拉曼光谱和电子输运研究氧等离子体刻蚀对石墨烯的影响
介观与纳米尺度物理
2011-02-15 v1
摘要
我们报道了石墨烯及石墨烯场效应器件在经受一系列短脉冲氧等离子体处理后的研究。我们展示了来自拉曼光谱、背栅场效应和磁输运测量的数据。拉曼“D”峰与“G”峰的强度比I(D)/I(G)（通常用于表征石墨烯中的无序度）在初期观测到随等离子体刻蚀脉冲数N(e)近似线性增加，但在N(e)较高时则出现下降。我们还讨论了数据对于从I(D)/I(G)提取石墨烯晶畴尺寸的意义。在所测得的最高N(e)下，发现“2D”峰几乎被抑制，而“D”峰依然显著。等离子体刻蚀石墨烯中的电子输运测量显示狄拉克点向上偏移，表明空穴掺杂。我们还表征了适度刻蚀样品中的迁移率、量子霍尔态、弱局域化以及各种散射长度。我们的发现对于理解等离子体刻蚀对石墨烯的影响以及通过人工生成缺陷研究无序石墨烯的物理特性具有重要价值。
引用
@article{arxiv.1011.0484,
title = {Effect of oxygen plasma etching on graphene studied with Raman spectroscopy and electronic transport},
author = {Isaac Childres and Luis A. Jauregui and Jifa Tian and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.0484},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 5 figures