化学掺杂少层石墨烯中电子-电子关联的拉曼特征
介观与纳米尺度物理
2011-06-07 v1
摘要
我们报道了一项对通过 CHF 气体等离子体工艺实现化学掺杂后的少层石墨烯进行的实验拉曼研究。随着掺杂水平的提高，观察到 2D 带的分裂程度和面积均系统性地减小。这两种效应都可归因于电子-电子关联，它一方面降低了电子-声子耦合强度，另一方面影响了双共振拉曼过程的概率。
引用
@article{arxiv.1106.1107,
title = {Raman signature of electron-electron correlation in chemically doped few-layer graphene},
author = {Matteo Bruna and Stefano Borini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.1107},
year = {2011}
}