门控诱导非对称掺杂扭曲双层石墨烯中的光学声子
介观与纳米尺度物理
2015-02-18 v1 材料科学
摘要
利用拉曼光谱研究了具有离子凝胶门电介质的扭曲双层石墨烯 (tBLG) 器件，研究集中在可观察到共振增强 G 带的扭转角范围内。当载流子浓度调离电荷中性点时，我们观察到 G 拉曼带出现显著的分裂和强度猝灭。这种 G 峰分裂归因于两层石墨烯中的非对称电荷掺杂，揭示了弱耦合的两层石墨烯各自独立的声子自能重整化。我们利用层间屏蔽模型估算了低掺杂密度下 tBLG 的有效层间电容。两个 G 峰的异常强度猝灭归因于动量空间中因门调控而发生位移的两个鞍点（范霍夫奇点）之间共振带间跃迁的抑制。此外，我们观察到 R 拉曼带（tBLG 中由超晶格诱导的声子模式）在电子（空穴）掺杂下发生软化（硬化）。我们的结果表明，门调控可用于控制 tBLG 器件中的光电和振动性质。
引用
@article{arxiv.1412.8128,
title = {Optical Phonons in Twisted Bilayer Graphene with Gate-Induced Asymmetric Doping},
author = {Ting-Fung Chung and Rui He and Tai-Lung Wu and Yong P. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.8128},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 4 figures, and 8 pages Suppl. Info