扭转双层双层石墨烯中声子散射诱导的载流子电阻率
强关联电子
2020-06-30 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在这项工作中，我们对扭转双层双层石墨烯（TDBG）中声子诱导的电阻率进行了理论研究，其中两个Bernal堆垛的双层石墨烯器件相对彼此旋转一个小角度θ。我们表明，在小扭转角（θ∼1°）下，TDBG系统的有效质量大大增强，导致在高温极限下声子诱导的电阻率急剧增加，其中声子散射导致电阻率随温度升高而线性增加。我们还讨论了我们的理论对此类系统中超导性的可能影响，并对超导转变温度给出了数量级估计。
引用
@article{arxiv.1906.08224,
title = {Phonon scattering induced carrier resistivity in twisted double bilayer graphene},
author = {Xiao Li and Fengcheng Wu and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08224},
year = {2020}
}
备注
The submission is updated with the published and revised final version