扭转双层双层石墨烯中的温度线性电阻率
介观与纳米尺度物理
2022-07-08 v3 材料科学
强关联电子
摘要
我们报道了关于扭转双层双层石墨烯(TDBG)中温度(T)线性电阻率对载流子密度(n)、位移场(D)和扭转角(θ)依赖关系的实验研究。对于不存在关联绝缘态的大扭转角(θ>1.5°),我们在较宽载流子密度范围内观察到T线性电阻率(斜率量级约10Ω/K),且其斜率随n增大而减小,这与声学声子散射模型在半定量上一致。T线性电阻率斜率对位移场呈非单调依赖,具有单峰结构。对于出现关联态的θ~1.23°器件,在相变发生的晕环结构边界处,T线性电阻率斜率达到最大(~100Ω/K),并呈现出连续相变、普朗克耗散和有效质量发散的特征;这些观察结果与量子临界行为一致,可能源于临界点处的对称性破缺不稳定性。我们的结果揭示了TDBG及其他扭转莫尔系统中的关联物理新见解。
引用
@article{arxiv.2104.05406,
title = {Temperature-linear Resistivity in Twisted Double Bilayer Graphene},
author = {Yanbang Chu and Le Liu and Cheng Shen and Jinpeng Tian and Jian Tang and Yanchong Zhao and Jieying Liu and Yalong Yuan and Yiru Ji and Rong Yang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Dongxia Shi and Fengcheng Wu and Wei Yang and Guangyu Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.05406},
year = {2022}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. B, with 20 pages and 15 figures