魔角附近扭转双层石墨烯中规范声子主导的电阻率
介观与纳米尺度物理
2019-04-24 v1
摘要
近期对接近魔角的扭转双层石墨烯(tBG)的实验表明,范德瓦耳斯异质结构中的微小相对旋转极大地改变了其电子性质。我们考虑了多种散射机制,并表明tBG中的载流子输运由带电杂质与声学规范声子的联合作用主导。由于狄拉克费米子在电荷中性处无法屏蔽长程库仑势,带电杂质在低温和低密度下仍占主导;然而,在大部分实验区间内规范声子占主导,因为尽管它们与电流耦合,但不诱导电荷,因此不受魔角附近大态密度的屏蔽。我们表明,由于带电杂质散射,电阻率在低温下随载流子密度呈强单调下降依赖,而在高温下由于规范声子对密度依赖较弱。远离电荷中性时,电阻率随温度升高而增加,而在狄拉克点附近则相反。仅在低温和低载流子密度下观察到的非单调温度依赖是我们理论的特征,可在实验可用的样品中进行检验。
引用
@article{arxiv.1902.01405,
title = {Gauge phonon dominated resistivity in twisted bilayer graphene near magic angle},
author = {I. Yudhistira and N. Chakraborty and G. Sharma and D. Y. H. Ho and E. Laksono and O. P. Sushkov and G. Vignale and S. Adam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.01405},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 4 figures