光学控制石墨烯多电阻状态用于记忆电阻器应用

神经形态计算强调对具有非易失性多电导水平的记忆电阻器的需求。本文展示了六方氮化硼(hBN)/石墨烯异质结构可作为可光学调谐的多电阻状态记忆电阻器的潜力。通过调制掺杂水平（实现方式包括改变电场强度或调整光照持续时间），可以控制石墨烯中电阻水平的数量。我们的测量结果表明，石墨烯的光掺杂源于hBN中氮空位能级电荷载流子激发至其导带，再经由栅极诱导电场转移至石墨烯。我们发展了定量模型以描述观察结果。此外，基于该器件架构，我们提出了用于向量-矩阵乘法的记忆电阻器交叉阵列。