原始石墨烯/氮化硼异质结构中可重写掺杂图案的纳米尺度控制
介观与纳米尺度物理
2016-04-20 v1
摘要
二维（2D）材料中电荷掺杂的纳米尺度控制允许实现光学现象的电子类比、低能下的相对论物理以及具有技术前景的纳米电子学。静电门控和化学掺杂是实现这种掺杂局部控制的两种最常见方法。然而，这些方法存在制造工艺复杂、引入污染、不可逆地改变材料特性以及缺乏灵活图案控制等缺点。在这里，我们展示一种清洁、简单且可逆的技术，允许在纳米尺度下对二维材料进行掺杂图案的写入、读取和擦除。我们通过采用具有底栅电极的石墨烯/氮化硼（BN）异质结构来实现这一点。通过使用电子传输和扫描隧道显微镜（STM），我们证明电荷掺杂的空间控制可以通过施加光或STM针尖电压激发结合栅电场来实现。我们这种直接且新颖的技术为按需石墨烯pn结和超薄存储器件提供了新路径。
引用
@article{arxiv.1602.03245,
title = {Nanoscale control of rewriteable doping patterns in pristine graphene/boron nitride heterostructures},
author = {Jairo Velasco and Long Ju and Dillon Wong and Salman Kahn and Juwon Lee and Hsin-Zon Tsai and Chad Germany and Sebastian Wickenburg and Jiong Lu and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Alex Zettl and Feng Wang and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.03245},
year = {2016}
}
备注
Accepted at Nano Letters