碳空位和硼掺杂诱导的石墨烯电子与结构畸变
材料科学
2010-06-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过热力学和能带结构计算，对通过引入空位、掺入硼原子以及两者共存来修饰石墨烯所产生的结构和电子畸变进行了从头算研究。在硼原子和空位共存的情况下，只有当硼原子位于远离空位的位置时，修饰后的石墨烯才表现出自旋极化。因此，当硼原子填充单空位和双空位时，它会抑制电荷密度的自旋极化。特别地，当硼原子填充双空位时，会发生一种新型的重排，形成稳定的BC4单元，从而在石墨烯中诱导出重要的面外畸变。所有这些发现表明，新的石墨烯化学修饰和新型空位可用于传感器和化学标记等有趣的应用。
引用
@article{arxiv.1006.0589,
title = {Electronic and structural distortions in graphene induced by carbon vacancies and boron doping},
author = {Ricardo Faccio and Luciana Fernández-Werner and Helena Pardo and Cecilia Goyenola and Oscar N. Ventura and Álvaro W. Mombrú},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.0589},
year = {2010}
}
备注
22 pages, 9 figures and 3 tables