石墨烯与铜基底之间的相互作用：晶格取向的作用
介观与纳米尺度物理
2014-02-03 v1
摘要
我们对在暴露 (100)、(110) 和 (111) 面的铜单晶上通过化学气相沉积生长的石墨烯进行了综合研究。利用一系列可见光激发能量进行拉曼光谱直接检测，并结合微区拉曼 mapping，显示单个铜表面具有不同的应变和掺杂水平。将拉曼 mapping 结果与 X 射线衍射技术及原子力显微镜结果进行比较，表明特定的应变和掺杂值既非由晶体质量也非由表面形貌决定，而是由铜晶格取向本身决定。我们还报道了由石墨烯与金属基底相互作用引起的异常狭窄的拉曼 2D 带宽度。这种半高全宽 (FWHM) 低至 16 cm-1 的极窄 2D 带的出现，与 Cu(100) 和 (110) 表面上的平坦且未掺杂区域相关。Cu(111) 上普遍压缩（应变约 0.3%）且 n 型掺杂（费米能级移动约 250 meV）的石墨烯，其 2D 带 FWHM 最小值约为 20 cm-1。相比之下，在相同条件下在铜箔上生长的石墨烯反映了多晶表面的不均匀性，其 2D 带相应地更宽，FWHM > 24 cm-1。
引用
@article{arxiv.1401.8089,
title = {Interaction between graphene and copper substrate: The role of lattice orientation},
author = {Otakar Frank and Jana Vejpravova and Vaclav Holy and Ladislav Kavan and Martin Kalbac},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.8089},
year = {2014}
}
备注
Manuscript 34 pages, 6 Figures; Supporting Information 12 pages, 14 Figures