在邻晶面6H-SiC(0001)上外延石墨烯的生长机制
材料科学
2008-09-23 v1
摘要
在SiC(0001)上生长具有特定层数的大面积有序石墨烯的困难是众所周知的。生长涉及多个竞争过程（硅脱附、碳扩散、岛成核等），并且由于高温，一直无法确定生长机制。利用扫描隧道显微镜和初始为邻晶面的6H-SiC(0001)样品，我们确定了导致双层石墨烯形成的微观过程序列。相邻台阶以不同速度后退，当较快台阶追上较慢台阶时，释放的碳产生特征性的“指状”结构。这些过程基于台阶上不同的硅脱附速率，如果使用更快的加热速率可以避免。我们还表明，更快的速率导致单层石墨烯薄膜延伸超过数微米。
引用
@article{arxiv.0809.3619,
title = {Growth mechanism for epitaxial graphene on vicinal 6H-SiC(0001) surfaces},
author = {M. Hupalo and E. Conrad and M. C. Tringides},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3619},
year = {2008}
}
备注
4 figures submitted to Nano Letters