双层石墨烯中的拓扑约束
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了一种新型的一维手性态，这种态可以通过静电横向约束在双层石墨烯 (BLG) 中产生。这些态出现在分隔经历相反栅极极性绝缘区域的畴壁上。虽然这些态类似于传统的孤子零模，但其性质由它们所衍生的异常手性 BLG 准粒子决定。零模分支的数量由绝缘 BLG 态的拓扑真空电荷固定。我们讨论了这些手性态如何在实验中显现，并强调了它们在谷电子学中的相关性。
引用
@article{arxiv.0709.3522,
title = {Topological confinement in bilayer graphene},
author = {Ivar Martin and Ya. M. Blanter and A. F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.3522},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures