扭曲双层石墨烯量子点中的电子约束
介观与纳米尺度物理
2022-01-05 v1 材料科学
摘要
量子点（QDs）的电子性质敏感依赖于其母体材料。因此，单层石墨烯和 Bernal 堆垛双层石墨烯的石墨烯量子点（GQDs）中的受限电子态截然不同。扭曲双层石墨烯（TBG）不同于单层和 Bernal 堆垛双层石墨烯，因其具有新的自由度：扭转角。过去几年中，人们为制备单层和 Bernal 堆垛双层石墨烯的 GQDs 做出了大量努力并取得巨大成功。然而迄今为止，实现 TBG 的 GQDs 的策略一直难以捉摸。在此，我们展示了一种通用方法，通过在 TBG 中引入具有锐边界的纳米级 p-n 结来制备静止的 TBG GQDs。我们通过 TBG GQDs 中的回音壁模式验证了低能无质量 Dirac 费米子的约束。出乎意料的是，TBG 的范霍夫奇点附近的电子态在 GQDs 周围也被强烈修饰。这一特征从未被报道过，并归因于 GQDs 诱导的 TBG 中层间耦合的空间变化。
引用
@article{arxiv.2110.10823,
title = {Electronic confinement in quantum dots of twisted bilayer graphene},
author = {Xiao-Feng Zhou and Yi-Wen Liu and Hong-Yi Yan and Zhong-Qiu Fu and Haiwen Liu and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.10823},
year = {2022}
}