双层石墨烯中拓扑电子边界对等离激元的反射
介观与纳米尺度物理
2017-10-20 v1
摘要
在双层石墨烯中，分隔 AB 和 BA 层间堆叠区域的畴壁作为结构孤子、拓扑电子边界和纳米尺度等离激元散射体的新颖实例而备受关注。我们表明，红外纳米成像实验中观察到的畴壁与表面等离激元的强耦合，是由于限制在壁上的拓扑手性模式所致。这些手性模式与能带连续区之间的光学跃迁增强了局部交流电导率，从而导致等离激元被畴壁反射。成像揭示了两种类型的等离激元驻波干涉图样，我们将其归因于剪切畴壁和拉伸畴壁。我们计算了这两种壁的电子结构，并表明拉伸壁包含额外的限制能带，从而产生了特定于结构的局部电导率对比度。计算出的等离激元干涉剖面与我们的实验结果在定量上吻合。
引用
@article{arxiv.1707.03980,
title = {Plasmon reflections by topological electronic boundaries in bilayer graphene},
author = {Bor-Yuan Jiang and Guang-Xin Ni and Zachariah Addison and Jing K. Shi and Xiaomeng Liu and Frank Zhao and P. Kim and E. J. Mele and D. N. Basov and M. M. Fogler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.03980},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 5 figures