带隙双层石墨烯中的谷 Chern 数与边界模式
介观与纳米尺度物理
2013-06-28 v1 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
本文通过分析四能带和二能带连续模型、在晶格上进行数值计算以及运用量子几何论证,研究了双层石墨烯畴壁处的电子态。连续理论解释了由层间电场反转、层间堆叠反转以及两者同时反转所形成的畴壁附近局域化的边界模式的独特电子性质。边界模式的性质与体哈密顿量参数空间中发生的拓扑转变和能隙闭合有关。通过针对特定畴壁结构进行晶格计算,本文探讨了连续模型未能直接捕捉的谷间耦合效应所起的重要作用。
引用
@article{arxiv.1301.4205,
title = {Valley Chern Numbers and Boundary Modes in Gapped Bilayer Graphene},
author = {Fan Zhang and A. H. MacDonald and E. J. Mele},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.4205},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 7 figures