用于近场纳米成像的双栅极石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2021-03-23 v2
摘要
基于石墨烯的异质结构展现出多种可由静电局域栅极强烈调控的现象。单层石墨烯（MLG）表现出可调的表面等离激元，这已通过扫描纳米红外实验揭示。在双层石墨烯（BLG）中，垂直位移场会诱导出电子带隙。带隙 BLG 被预测会展现异常效应，如等离激元放大以及寿命显著长于 MLG 的畴壁等离激元。此外，在扭转石墨烯结构中已观测到对位移场高度敏感的多种关联电子相。然而，在纳米红外实验中施加垂直位移场直至最近才成为可能（参考文献 1）。本工作中，我们全面表征了两种实现与纳米光学兼容的顶栅的方法：双层 与 MLG。我们对两类结构均进行了纳米红外成像，并评估了各自的优劣。我们的工作为石墨烯基异质结构中关联现象与等离激元效应的全面近场实验铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2011.10198,
title = {Dual-gated graphene devices for near-field nano-imaging},
author = {Sai S. Sunku and Dorri Halbertal and Rebecca Engelke and Hyobin Yoo and Nathan R. Finney and Nicola Curreli and Guangxin Ni and Cheng Tan and Alexander S. McLeod and Chiu Fan Bowen Lo and Cory R. Dean and James C. Hone and Philip Kim and Dmitri N. Basov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.10198},
year = {2021}
}