亚表面电荷导致的石墨烯空间分辨电子不均匀性
介观与纳米尺度物理
2012-02-21 v2 材料科学
摘要
我们利用组合扫描隧道显微镜和静电力显微镜，探测了由于 SiO2 衬底中存在带电杂质而导致的剥离石墨烯电子性质的局部不均匀性。使用静电力显微镜进行的接触电势差测量使我们能够获得平均电荷密度，但其分辨率不足以识别单个电荷。我们发现，与局部隧道势垒高度相关的隧道电流衰减常数，使人能够探测受单个带电杂质在纳米尺度上扭曲的石墨烯电子性质。我们观察到，此类不均匀性不显示长程有序，且通过直接计数获得的表面密度与通过宏观电荷密度测量获得的值一致。载流子密度的这些微观扰动显著改变了石墨烯的电子性质，对其表征对于提高基于石墨烯的器件性能至关重要。
引用
@article{arxiv.1111.0840,
title = {Spatially resolved electronic inhomogeneities of graphene due to subsurface charges},
author = {Andres Castellanos-Gomez and Roel H. M. Smit and Nicolás Agraït and Gabino Rubio-Bollinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.0840},
year = {2012}
}
备注
22 pages, 13 figures (including supporting information); Carbon (2011)