悬浮单层石墨烯中由谷间散射引起的强局域化

在高迁移率悬浮单层石墨烯中，于电荷中性点附近观察到了零磁场下栅极诱导的绝缘行为。该石墨烯器件最初经电流退火技术清洁后，经历了一个热-压力循环，以使短程杂质直接吸附于超洁净石墨烯表面。该吸附过程在石墨烯器件电导上产生了强烈的温度和电场依赖行为。观察到中性点附近的电导从 30 K 时的约 $e^2/h$ 降低至 20 mK 时的 $\sim0.01~e^2/h$。在 $\approx0.4~T$ 内从绝缘体到量子霍尔导体的直接转变，伴随由对称性破缺诱导的 $\nu=0,\pm1$ 平台，证实了谷间散射体的存在。