石墨烯中单个单空位诱导的谷间散射表征与调控

谷间散射涉及电子在纳米长度尺度上被原子尺度缺陷散射的微观过程。尽管其对我们理解材料电子性质至关重要，对单个原子缺陷诱导的谷间散射范围与强度的直接表征和调控迄今难以实现。利用扫描隧道显微镜，我们可视化并控制了石墨烯中单个单空位引起的谷间散射。通过直接成像单空位受影响的谷间散射范围，我们证明其反比于能量，即正比于无质量Dirac费米子的波长。由于单空位带电，观察到谷间散射的巨大电子-空穴不对称性。通过进一步给单空位充电，单空位周围的弯曲电子势软化了散射势，从而抑制了单空位的谷间散射。