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具有谷内和谷间散射的绝缘石墨烯边缘扩散

介观与纳米尺度物理 2012-11-12 v3

摘要

石墨烯中的能隙工程可能为晶体管器件开辟道路,使其电流可以随意开关。然而,人们可能会问,仅凭半导体能隙是否足以抑制石墨烯中的电流。在本文中,我们证明,尽管存在体能隙,石墨烯沿样品边缘仍可能具有金属导电性(前提是边缘长度短于局域化长度)。我们在具有锯齿型边界的单层石墨烯中发现了这一点,即使存在体能隙,该边界也承载无隙传播边缘态。通过产生谷间散射,样品无序会降低边缘电导。然而,对于弱散射,会出现一种金属机制,其每自旋的扩散电导为G=(e2/h)(lKK/L)G = (e^2/h)(l_{KK'} / L),其中lKKl_{KK'}是由于谷间散射导致的输运平均自由程,L>>lKKL >> l_{KK'}为边缘长度。我们还考虑了由平滑无序(例如基底中的远程电离杂质)引起的谷内散射。虽然谷内散射有助于弹性准粒子寿命,但它对GG没有影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1208.1951,
  title  = {Diffusion on edges of insulating graphene with intravalley and intervalley scattering},
  author = {G. Tkachov and Martina Hentschel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1951},
  year   = {2012}
}

备注

7.5 pages, 2 figures, published version