侧栅石墨烯纳米器件中边缘效应的可视化
应用物理
2018-04-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用局域扫描电学技术，我们研究了由外延石墨烯制成的侧栅霍尔纳米器件中的边缘效应。我们证明，石墨烯沟道的光刻定义边缘在约 60-125 nm 宽的窄带内表现出空穴导电，而材料主体为电子掺杂。当大气污染的影响最小时，该效应最为显著。我们还表明，通过使用侧栅产生的中等强度电场，可以将边缘处的电子性质从空穴导电精确调谐到电子导电。然而，沟道中心部分受侧栅影响相对较小，并保留石墨烯的体性质。
引用
@article{arxiv.1804.09630,
title = {Visualisation of edge effects in side-gated graphene nanodevices},
author = {Vishal Panchal and Arseniy Lartsev and Alessandra Manzin and Rositza Yakimova and Alexander Tzalenchuk and Olga Kazakova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09630},
year = {2018}
}
备注
4 Figures, 1 Table