通过太赫兹光谱和扫描探针电位测量探测聚合物晶体管中的电荷俘获
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
我们使用太赫兹时域光谱和扫描探针电位测量来研究在硅栅极上制造的聚合物场效应晶体管中的电荷俘获。通过施加栅极电压下透射太赫兹辐射的减少来确定晶体管沟道中的空穴密度。长时间的器件运行导致差分太赫兹透射呈指数衰减，这与聚合物沟道中俘获空穴密度的增加一致。结合扫描探针电位测量结果，这些结果表明器件退化主要是空穴俘获的结果，而不是聚合物中自由空穴迁移率的变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608279,
title = {Charge trapping in polymer transistors probed by terahertz spectroscopy and scanning probe potentiometry},
author = {J. Lloyd-Hughes and T. Richards and H. Sirringhaus and E. Castro-Camus and L. M. Herz and M. B. Johnston},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608279},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures