利用太赫兹时间域光谱技术同时绘制硅碳烧结层和基片的电荷载流子密度分布
光学
2025-06-19 v1
摘要
随着对高效电力器件日益增长的需求，基于硅碳的器件正逐渐变得更加重要。与传统方法如汞电容-电压技术相比，太赫兹光谱技术有望实现接触式表征。本工作通过在反射几何中采用时间域光谱技术，在约8×10^(15) cm^(-3)至4×10^(18) cm^(-3)的宽广范围内，同时确定硅碳烧结层及其基片的电荷载流子密度。此外，通过在整个晶圆上绘制所确定的电荷载流子密度分布，检测样品中的不均匀性。额外的理论计算确认了这些结果，并提供了4H-SiC中，太赫兹时间域光谱能够确定电荷载流子密度的掺杂范围的厚度依赖信息。
引用
@article{arxiv.2506.14945,
title = {Simultaneous Charge Carrier Density Mapping of SiC Epilayers and Substrates with Terahertz Time-Domain Spectroscopy},
author = {Joshua Hennig and Jens Klier and Stefan Duran and Kuei-Shen Hsu and Jan Beyer and Christian Roeder and Franziska C. Beyer and Nadine Schueler and Nico Vieweg and Katja Dutzi and Georg von Freymann and Daniel Molter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.14945},
year = {2025}
}