太赫兹光谱揭示硅中的激子莫特转变
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v2 强关联电子
摘要
本文利用太赫兹时域光谱研究了 Si 中的激子莫特转变。在莫特密度之上观察到了由 1s-2p 共振所体现的激子关联。载流子的散射率在接近莫特密度时显著增强，这归因于金属电子-空穴等离子体中非零的激子关联。同时，在损失函数谱中观察到了等离激元-激子耦合的特征。
引用
@article{arxiv.1203.5179,
title = {Exciton Mott transition in Si Revealed by Terahertz Spectroscopy},
author = {Takeshi Suzuki and Ryo Shimano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.5179},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures