GaN/(AlGa)N 纳米结构中偶极激子 Mott 转变的复杂性
介观与纳米尺度物理
2021-02-03 v1 量子气体
摘要
通过空间分辨磁光致发光光谱，在 K 的宽 GaN/(Al,Ga)N 量子阱中展示了从偶极激子液体到电子-空穴等离子体的 Mott 转变。增加光激发密度，我们将系统从激子态（以抗磁行为为特征，从而具有随磁场的二次能量依赖）驱动到未束缚电子-空穴态（以发射能量随磁场线性位移为特征）。系统的复杂性要求同时考虑激子结合能的密度依赖性以及数量级相同的激子-激子相互作用与关联能。我们估计 Mott 转变处的载流子密度为 cm，并探讨了激子关联在此过程中所起的作用。我们的结果强烈依赖于光致发光的空间分辨以及载流子输运的评估。我们表明，与 GaAs/(Al,Ga)As 系统相反——其中偶极磁激子的输运由于激子质量增强而被磁场强烈淬灭——在 GaN/(Al,Ga)N 中能带参数使得输运在高达 T 时仍得以保持。
引用
@article{arxiv.2010.08216,
title = {Complexity of dipolar exciton Mott transition in GaN/(AlGa)N nanostructures},
author = {F. Chiaruttini and T. Guillet and C. Brimont and D. Scalbert and S. Cronenberger and B. Jouault and P. Lefebvre and B. Damilano and M. Vladimirova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.08216},
year = {2021}
}
备注
15 pages 13 figures