高磁场下偶极激子阱的溢出

我们研究了在法拉第构型高磁场下，耦合砷化镓量子阱中横向束缚的偶极激子系综。在光致发光实验中，我们识别出三个磁场区域。在低场下，由于电荷载流子从阱中逃逸减少，激子密度增加，此外，激子的发射能量通过正的抗磁位移进行修正。在中等场下，遵循中性磁激子特性的磁场相关修正项起作用。由于结合能和寿命增加的综合效应，激子密度从零特斯拉到约七特斯拉大约翻了一番。在七特斯拉这一高场值下，电荷载流子仅占据最低朗道能级。在这种情况下，激子阱可以独立于束缚势的静电深度而发生溢出，并且由所谓的量子限制斯塔克效应引起的激子能量位移被有效补偿。相反，激子的能量似乎由多体相互作用项的磁场相关重整化驱动。在此区域，束缚势边缘寄生面内场的影响被消除。