GaAs 中堆垛层错势与激子波函数的微观模型
介观与纳米尺度物理
2020-03-25 v1 材料科学
摘要
嵌入块体晶体中的二维堆垛层错缺陷可为载流子与激子提供均匀的俘获势。本文利用最先进的结构成像结合密度泛函与有效质量理论，建立堆垛层错激子的微观模型。计算了不同磁场下的抗磁位移与激子偶极矩，并与 GaAs 中束缚于单个堆垛层错的激子的实验光致发光进行比较。该模型进一步用于深入理解束缚于由堆垛层错对形成的双势阱的激子性质。这一微观激子模型可作为包含激子-激子相互作用的模型的输入，以确定该系统中可实现的激子相。
引用
@article{arxiv.1911.00342,
title = {Microscopic model of stacking-fault potential and exciton wave function in GaAs},
author = {Mikhail V. Durnev and Mikhail M. Glazov and Xiayu Linpeng and Maria L. K. Viitaniemi and Bethany Matthews and Steven R. Spurgeon and P. V. Sushko and Andreas D. Wieck and Arne Ludwig and Kai-Mei C. Fu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.00342},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 10 figures