束缚于单个堆垛层错的二维激子的巨大永久偶极矩

我们研究了高纯度 GaAs 中束缚于单个堆垛层错的激子的磁光性质。我们发现二维堆垛层错势束缚了一个由电子和重空穴组成的激子，并确认了面内空穴 $g$ 因子消失，这与体系的原子尺度对称性一致。堆垛层错势前所未有的均匀性导致了超窄光致发光发射线（半高全宽 ${\lesssim 80~\mu \text{eV} }$），并揭示了源于移动激子的磁斯塔克效应的大型磁非互易效应。这些测量明确地确定了堆垛层错激子的巨大电偶极矩（${\gtrsim e \cdot 10~\text{nm}}$）的方向和大小，使堆垛层错成为研究相互作用激子气体的有前景的新平台。