GaN/(Al,Ga)N 量子阱中激子的电学控制
量子气体
2022-03-28 v1
摘要
生长方向上的巨大内建电场使得宽 GaN/(Al, Ga)N 量子阱中的激子即使在没有任何外部偏压的情况下也具有空间间接性。通过在异质结构顶部沉积的薄金属层，可以在量子阱平面内印刻静电陷阱，从而积累显著密度的间接激子。通过联合测量空间分辨光致发光和光致电流，我们证明了陷阱中的激子密度可以通过外部电学偏压控制，该偏压能够改变陷阱深度。施加负偏压会加深陷阱势，但不会导致陷阱中激子的任何额外积累。这是由于电极边缘的横向电场引发了激子解离。由此产生的载流子损失表现为光致电流的增加和光致发光强度的降低。相比之下，施加正偏压会抹除电极诱导的陷阱势。因此，激子从陷阱中释放出来，并恢复了我们在空间分辨光致发光中所揭示的平面内自由传播。
引用
@article{arxiv.2203.13761,
title = {Electrical control of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells},
author = {R. Aristegui and F. Chiaruttini and B. Jouault and P. Lefebvre and C. Brimont and T. Guillet and M. Vladimirova and S. Chenot and Y. Cordier and B. Damilano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.13761},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 14 figures