GaAs 耦合量子阱中间接激子的局域化与相互作用
材料科学
2010-05-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们引入了一种提升势阱技术，并利用该技术降低了间接激子的有效温度。我们观察到了窄线宽的光致发光谱线，这些谱线对应于无序势中间接激子单个态的发射。我们研究了激子 - 激子相互作用对局域化和非局域化激子态的影响，发现均匀线宽展宽随密度增加而增大，并在高密度下主导线宽。
引用
@article{arxiv.0804.4886,
title = {Localization and interaction of indirect excitons in GaAs coupled quantum wells},
author = {Alexander High and Aaron Hammack and Leonid Butov and Leonidas Mouchliadis and Alexei Ivanov and Micah Hanson and Arthur Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.4886},
year = {2010}
}