n-ZnO/p-GaN 异质结构中的空间间接界面激子
材料科学
2023-08-14 v2
摘要
研究了外延生长的 n-ZnO/p-GaN pn 异质结的电致发光特性随外加偏压和温度的变化。该研究揭示了在足够低温度下存在间接界面激子。与这些激子相关的电致发光特征随正向偏压增大而红移。研究发现，这些实体的结合能可通过施加正向偏压调控，甚至可高于 ZnO 体相中激子的结合能（60 meV）。然而，当外加偏压或温度超过某一阈值时，这些激子的形成变得不可持续。这已通过电子（空穴）向 GaN（ZnO）侧的泄漏和热逃逸加以解释。对这些空间间接电子-空穴库仑耦合实体的能带图和结合能进行了计算。理论结果很好地解释了实验发现。
引用
@article{arxiv.2301.03945,
title = {Spatially indirect interfacial excitons in n-ZnO/p-GaN heterostructures},
author = {Simran Arora and Subhabrata Dhar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.03945},
year = {2023}
}