光学掺杂HgTe薄膜中Dirac费米子的太赫兹性质
材料科学
2017-03-17 v1
摘要
本文给出并讨论了具有临界厚度的碲化汞(HgTe)薄膜的太赫兹性质。载流子密度通过可见光的无接触光学掺杂来控制。在HgTe的磁光响应中，可以识别出两类载流子(电子和空穴)的贡献。电子密度可通过光照明改变一个数量级以上。由于空穴密度大致与光照无关，光照样品的太赫兹响应变为纯电子的。在某些情况下，光照明可将定性的电动力学响应从类空穴型切换到类电子型。电子的回旋质量可从数据中提取，并在宽参数范围内显示出对电荷浓度的平方根依赖关系。这可解释为线性色散关系即Dirac型载流子的明确证据。
引用
@article{arxiv.1603.05926,
title = {Terahertz properties of Dirac fermions in HgTe films with optical doping},
author = {V. Dziom and A. Shuvaev and N. N. Mikhailov and A. Pimenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.05926},
year = {2017}
}
备注
To be published in "2D Materials"