有机场效应晶体管中电荷陷阱的光学探测
材料科学
2025-09-24 v1
摘要
我们报道了利用聚焦激光照明对有机场效应晶体管中的电荷陷阱进行空间分辨光学探测。通过在晶体管通道上扫描 635 nm 激光并同步获取迁移特性，我们观察到晶体管开机电压出现持久、局部偏移，这些偏移与照射剂量和位置相关，而对场效应迁移率的影响可以忽略不计。这种效应在源电极 5-10 微区处最为显著，并且需要亚 10 微米步幅的漏电源-漏电极扫描方向。Kelvin 探测力学显微镜确认沿扫描路径存在阴离子捕获，与光生电子在半导体-介质界面附近的捕获相一致。该现象在多种器件几何和有机半导体（包括 TMTES-锗素、TIPS-锗素和 diF-TES-ADT）中可复现。这些发现使得直接映射陷阱分布成为可能，并为陷阱工程、阈值电压调谐以及开发有机光电子存储器提供了新策略。
引用
@article{arxiv.2509.19155,
title = {Optical probing of charge traps in organic field-effect transistors},
author = {Dean Kos and Marta Mas-Torrent},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.19155},
year = {2025}
}
备注
11 pages, 5 figures