图案化金属 - 氧化物 - 半导体薄膜中的瞬态横向光伏效应
光学
2016-11-25 v1 材料科学
摘要
我们在光刻图案化的 21 nm 厚、5、10 和 20 μm 宽、1500 μm 长的 Co 线上，以微秒时间分辨率和 kHz 范围的斩波频率，研究了时间依赖的瞬态横向光伏效应，这些 Co 线生长在自然钝化的 p 型 Si (100) 上。我们观察到瞬态响应与激光光斑位置呈近乎线性的依赖关系。数值模拟证实了在激光关闭阶段存在符号变化的瞬态响应。一种定性解释表明，通过包含局部电感的影响，可以修正漂移 - 扩散模型。我们的发现表明，位置敏感探测器的微结构化可以提高其时空分辨率。
引用
@article{arxiv.1406.7190,
title = {Transient lateral photovoltaic effect in patterned metal-oxide-semiconductor films},
author = {J. P. Cascales and I. Martinez and D. Diaz and J. A. Rodrigo and F. G. Aliev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7190},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures