图案化铁磁金属-氧化物-半导体薄膜中依赖于磁态的瞬态横向光伏效应
介观与纳米尺度物理
2016-12-15 v1
摘要
我们研究了外加磁场对天然钝化的 p 型 Si(100) 上生长的、宽度为几微米的平版印刷图案化 Co 线条中瞬态横向光伏效应（T-LPE）的幅值及去相干的影响。通过锁相放大器或激光关闭指数弛豫的特征时间测量的 T-LPE 峰峰幅值与去相干，表现出铁磁覆盖层磁化方向的显著影响。我们通过实验和数值模拟表明，T-LPE 幅值由 Co 的各向异性磁电阻决定。另一方面，去相干的磁场依赖性可由垂直于 Co 磁化与光生载流子漂移方向的洛伦兹力的影响来描述。我们的发现可推动具有磁调幅值与相位响应的快速位置敏感探测器的发展。
引用
@article{arxiv.1505.04580,
title = {Magnetic state dependent transient lateral photovoltaic effect in patterned ferromagnetic metal-oxide-semiconductor films},
author = {Isidoro Martinez and Juan Pedro Cascales and Antonio Lara and Pablo Andres and Farkhad G. Aliev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.04580},
year = {2016}
}