超快电子衍射研究羟基化 Si(111) 表面的光电压动力学

我们提出了一种利用超快电子衍射测量纳米界面瞬态光电压的新方法。特别是，我们报告了关于羟基封端硅表面（一种制造分子电子界面的标准衬底）中光诱导电子激发及其随后弛豫的结果。通过飞秒电子脉冲在选择性探测体积内诱导的修正空间电荷势垒引起的库仑折射变化，确定了瞬态表面电压。结果与关于表面态充电的超快光发射研究一致，表明存在一种与表面附近载流子动力学紧密耦合的电荷弛豫机制，该机制可用漂移 - 扩散模型描述。本研究展示了一种新实施的超快衍射方法，用于研究界面过程，同时具备电荷和结构分辨率。