基于光后电压瞬态的半导体表面性质表征
应用物理
2020-06-09 v2 其他凝聚态物理
摘要
半导体的自由表面会对光产生响应，改变其表面电压（表面能带弯曲）。这种表面光电压可使用开尔文探针轻松检测。对关灯后表面光电压瞬态时间行为的建模，可作为表征半导体若干关键电子性质的手段，这些性质在晶体管和太阳能电池等众多电子器件应用中具有根本重要性。在本文中，我们建立了该时间行为的模型，并用其表征若干半导体的层与纳米线。我们的结果表明，先前被认为是对数衰减的行为只是近似如此。由于开尔文探针方法已知的有限频率带宽，以往大多数基于开尔文探针的方法仅限于响应缓慢的半导体。我们提出的模型扩展了这一适用范围。
引用
@article{arxiv.2006.03093,
title = {Surface properties of semiconductors from post-illumination photovoltage transient},
author = {Yury Turkulets and Ilan Shalish},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.03093},
year = {2020}
}