探究复杂半导体异质结构中电场与能带图的动态行为
应用物理
2018-01-18 v3
摘要
现代带隙工程电子器件通常由多半导体多层异质结构构成，这对硅时代的表征方法构成了重大挑战。因此，当代带隙工程主要依赖于模拟的能带结构，而这些结构几乎从未经过实验验证。在此，我们提出了一种在复杂多半导体层状结构中实验评估带隙、带偏移和电场的方法，并且该方法可同时在所有层中进行。该方法在环境条件下使用常规的光学光电流光谱装置。结果使用简单的电吸收模型进行分析。作为示例，我们将该方法应用于典型的 GaN 高电子迁移率晶体管结构。在各种外部电场下的测量使我们能够实验性地构建能带图，不仅是在平衡状态下，还包括在器件的任何其他工作条件下。随后，利用电场获得了量子阱中电荷载流子密度和迁移率作为栅极电压在器件整个工作条件范围内的函数关系。此处例证的原则可作为开发在复杂多半导体结构中同时表征所有层方法的指导方针。
引用
@article{arxiv.1710.06162,
title = {Probing dynamic behavior of electric fields and band diagrams in complex semiconductor heterostructures},
author = {Yury Turkulets and Ilan Shalish},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.06162},
year = {2018}
}
备注
Revised the title; corrected typos and references