通过电容电压探针进行界面电荷转移的时间分辨测量
材料科学
2008-12-31 v1
摘要
当氧化还原活性分子共价连接到n型掺杂硅表面时,光会诱导半导体对其氧化。为了可视化这种电荷分离,我们通过辅助透明电极跟踪表面光电压的形成和衰减,该电极用作拾取瞬态表面光电压的电容探针。这种方法已在电子学和生物物理学中使用,但对于表面氧化还原化学来说是新颖的。该探针既提供电荷转移的方向,也提供动力学的分辨率。其应用与半导体的光学性质无关。激光引发反应允许对速率常数约为10^8-10^3 s^-1的反应进行定量测量。从共价连接的NTCI(A)分子到硅的电子注入是快速的(k >10^9 s^-1)。反向电子转移是多分散的,其组分范围从约10微秒到更长。
引用
@article{arxiv.0812.4958,
title = {Time-Resolved Measurements of the Interfacial Charge Transfers by Capacitive Voltage Probe},
author = {Andrei V. Pakoulev and Vladimir Burtman and Dmitry Zaslavsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4958},
year = {2008}
}
备注
Abbreviations: 1,8-naphthalene-dicarboxylic anhydride-4, 5- dicarboxylic imide (see also figure 1) 1,4,5,8-naphthalene-tetracarbpxylic diimide Manuscript Information: 9 text pages (including the title page, legends and references) 4 figures