碳纳米管晶体管的光栅效应
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
碳纳米管晶体管的光电测量显示出对入射光具有多种多样的敏感性。直接光电流过程与许多非本征机制相互竞争。在此，我们表明硅衬底中的可见光吸收会产生光电压，从而对纳米管器件进行电学栅控。由变化的栅极电压 induced 的光电流可能显著大于纳米管中直接电子 - 空穴对产生所导致的光电流。所得光电流的功率和位置依赖性证实了光栅效应在这些器件中的主导地位。功率依赖性呈强烈的非线性，即使激光照射位置距离纳米管远达 ，仍能测得穿过器件的光电流。
引用
@article{arxiv.0710.1264,
title = {Photo-gating Carbon Nanotube Transistors},
author = {Matthew S. Marcus and J. M. Simmons and O. M. Castellini and R. J. Hamers and M. A. Eriksson},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1264},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 7 figures