带隙梯度 InGaN 纳米线中内电场的光学调控
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
InGaN 纳米线是许多未来光电子器件的合适构建模块。我们展示了沿纳米线轴从 GaN 到 InN 的铟含量的线性梯度引入了引发光电流的内电场。与定量能带结构模拟一致，我们观察到测得的光电流作为光子通量函数发生符号变化。这种负微分光电流为新型基于纳米线的光电探测器开辟了道路。我们证明了纳米线的光电流响应快至 1.5 ps。
引用
@article{arxiv.1502.03773,
title = {Optical control of internal electric fields in band-gap graded InGaN nanowires},
author = {N. Erhard and A. T. M. Golam Sarwar and F. Yang and D. W. McComb and R. C. Myers and A. W. Holleitner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.03773},
year = {2015}
}