单根InAs纳米线/硅异质结中的光电流
介观与纳米尺度物理
2015-10-06 v1
摘要
我们研究了垂直生长在p型掺杂硅衬底上的单根砷化铟纳米线的光电特性。我们应用扫描光电流显微镜来研究单个异质结的光电特性。测得的光电流特性与通过形成于Si/InAs异质结处的中隙陷阱态的过剩电荷载流子传输相一致。具体而言，陷阱态增加了一条跨越异质结的额外传输路径，且缺陷电荷改变了结处的能带弯曲。该弯曲在小偏置电压下产生光伏效应。此外，我们在大偏置下观察到InAs纳米线内的光电导效应。
引用
@article{arxiv.1510.01143,
title = {Photocurrents in a Single InAs Nanowire/ Silicon Heterojunction},
author = {Andreas Brenneis and Jan Overbeck and Julian Treu and Simon Hertenberger and Stefanie Morkötter and Markus Döblinger and Jonathan J. Finley and Gerhard Abstreiter and Gregor Koblmüller and Alexander W. Holleitner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.01143},
year = {2015}
}