单个自掺杂纳米晶体的输运

探究单个纳米颗粒在红外波段的光学性质尤为困难，因此需要开发替代方法来表征该光谱范围内纳米颗粒的电导谱。在此，我们描述了一种在芯片电路上高效制备单纳米颗粒隧道结的方法。我们将该方法应用于窄带隙 HgSe 纳米颗粒，其能带结构结合了体半金属的反演特性与量子限域和自掺杂。在调节栅极偏压时，测量揭示了光谱中存在两个能隙。较宽的能隙源于带间跃迁，而较窄的能隙源于带内跃迁。在近零栅压处观测到后者，证实了纳米颗粒在单粒子水平上的掺杂特性，这与系综光学和输运测量结果完全一致。最后，我们探测了单个量子点内的光电输运，并展示了由光门控效应导致的大光增益机制。