用于光电应用的硅基 InP 纳米晶
材料科学
2012-11-13 v1
摘要
克服硅技术微缩极限并实现性能进步的一种解决方案是在单个芯片内集成不同的功能性光电器件。硅具有间接带隙，光学性质较差，这是其主要缺点。因此，必须使用另一种材料进行片上光互连，例如直接带隙的 III-V 族化合物半导体材料。本文介绍了利用离子注入与毫秒闪光灯退火相结合的技术在硅上合成单晶 InP 纳米点 (NDs)。光学和微观结构研究表明，生长出了高质量的 (100) 取向 InP 纳米晶。电流 - 电压测量证实了 InP NDs 与硅之间形成了 n-p 异质结。我们方法的主要优势在于其与大规模硅技术的兼容性，使其适用于基于 Si 的光电器件。
引用
@article{arxiv.1211.2373,
title = {InP nanocrystals on silicon for optoelectronic applications},
author = {Slawomir Prucnal and Shengqiang Zhou and Xin Ou and Helfried Reuther and Maciej Oskar Liedke and Arndt Mücklich and Manfred Helm and Jerzy Zuk and Marcin Turek and Krzysztof Pyszniak and Wolfgang Skorupa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.2373},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 7 figures