InSb 纳米交叉结构中的多端量子化电导

通过研究 InSb 纳米线随时间变化的轴向与径向生长，我们标定了利用分子束外延合成单晶 InSb 纳米交叉结构的条件。具有对各端局部栅极控制的 InSb 纳米交叉器件的低温电学测量表现出量子化电导，并用于探测导电通道的空间分布。调控至纳米交叉结由连接纳米线端中的少通道量子点接触连通的情形时，我们表明除临近夹断处外，通过该结的输运是弹道式的。结合一种用于纳米交叉上图案化超导体的阴影外延新概念，此处所报道的结构在多端 Josephson 结中实现非平凡拓扑态方面展现出前景。