掺杂统计对纳米半导体器件电导分布的影响
凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们表明，单个掺杂原子主导纳米尺度器件的传输特性，通过对直径下至15纳米的金属-半导体二极管进行研究。室温测量结果显示，随着器件尺寸减小，器件间电导的散布显著增大。低温测量显示显著特征，源于单个掺杂原子电子态的共挑态隧穿。我们通过统计分析证明，这一行为可由随机分布的单个掺杂原子位于空间电荷区中解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309137,
title = {Conductance distribution in nanometer-sized semiconductor devices due to dopant statistics},
author = {G. D. J. Smit and S. Rogge and J. Caro and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309137},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 4 EPS figures. Submitted