硅中单个掺杂剂的单电子电容谱学

受近期输运实验和提出的原子尺度半导体器件的启发，我们展示了将扫描探针方法的能力扩展到分辨硅样品表面下数十纳米处单个掺杂剂性质的测量。利用基于电容的方法，我们既实现了空间分辨的单个地下硼受主，又通过光谱学检测到了单个空穴进入和离开这些微小原子系统。一个被识别为B+态的共振峰显示出在不同受主之间能量移动。我们根据最近邻距离检验了这种行为。通过直接测量量子能级并测试掺杂剂-掺杂剂相互作用的影响，该方法为未来原子尺度半导体器件的开发提供了一个有价值的工具。