超浅掺杂剂中量子限制与介电失配的相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v2
摘要
理解界面附近掺杂剂的电子性质是纳米级器件的一个关键挑战。我们确定了介电失配和量子限制对氢钝化硅(100)表面下方单个受主电离能的影响。虽然真空与硅在界面处的介电失配导致镜像电荷，增强了次表面受主的结合能，但量子限制被证明会降低结合能。利用扫描隧道谱，我们测量了通过单个受主局域态的共振输运。电导峰的展宽提供了绝对能量尺度的直接测量。我们的数据明确表明，这两个独立效应相互竞争，其结果是，对于距离界面小于一个玻尔半径的受主，其电离能比体值低不到5 meV。
引用
@article{arxiv.1303.2712,
title = {Interplay between quantum confinement and dielectric mismatch for ultra-shallow dopants},
author = {J. A. Mol and J. Salfi and J. A. Miwa and M. Y. Simmons and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2712},
year = {2015}
}